*EN Вештачка интелигенција

Grafenski čipovi otvaraju put ka revoluciji u elektronici

Summary

Istraživači sa Georgia Tech univerziteta u Atlanti objavili su revolucionarni proboj – razvili su prvi funkcionalni poluprovodnik baziran na grafenu. Ovaj novi materijal, nazvan poluprovodni epitaksijalni grafen (SEC), obećava pravu revoluciju u elektronici, donoseći znatno veće brzine i mogućnosti, posebno […]

Grafenski čipovi otvaraju put ka revoluciji u elektronici

Istraživači sa Georgia Tech univerziteta u Atlanti objavili su revolucionarni proboj – razvili su prvi funkcionalni poluprovodnik baziran na grafenu. Ovaj novi materijal, nazvan poluprovodni epitaksijalni grafen (SEC), obećava pravu revoluciju u elektronici, donoseći znatno veće brzine i mogućnosti, posebno u oblasti računara.

Tehnika kojom su istraživači dobili ovaj materijal je jednostavna i poznata već 50 godina – zagrevanje silicijum-karbida na visokim temperaturama. Usled toga, silicijum isparava sa površine, a na njoj se formira grafen. Ova metoda je ključna za dobijanje konzistentnih rezultata i visoke mobilnosti elektrona.

Velika prednost grafena je u tome što deluje kao poluprovodnik sa znatno većom mobilnošću elektrona u odnosu na tradicionalne materijale poput silicijuma. Tranzistori bazirani na ovom materijalu mogli bi raditi na neverovatnim brzinama u rangu teraherca, što je ogromna razlika u odnosu na trenutno dostupne brzine u praktičnim proizvodima.

Pored toga, istraživači ističu i potencijal grafena za kvantno računarstvo. Kada se ovaj materijal koristi na niskim temperaturama, elektroni pokazuju talasna kvantno-mehanička svojstva koja nisu dostupna u silicijumu. Ova svojstva otvaraju mogućnosti za potpuno novi pristup elektronici.

Iako istraživači priznaju da njihovo otkriće neće biti primenjeno u trenutnom obliku, oni nastavljaju sa eksperimentisanjem sa novim materijalima poput bor nitrida kako bi zaštitili grafen i povećali njegovu kompatibilnost sa konvencionalnim proizvodnim linijama za poluprovodnike.

Razvoj ove tehnologije će zahtevati vreme, ali količina rada koja će biti uložena u nju će biti ključna za bržu implementaciju. Podrška industrije će biti od velikog značaja kako bi se postigao dalji napredak i ostvarile sve mogućnosti koje grafenski čipovi donose u elektroniku.

Česta pitanja (FAQ) o poluprovodnom epitaksijalnom grafenu:

1. Šta je poluprovodni epitaksijalni grafen (SEC)?
Poluprovodni epitaksijalni grafen (SEC) je novi materijal koji je razvijen na Georgia Tech univerzitetu u Atlanti i koji obećava revoluciju u elektronici. To je funkcionalni poluprovodnik baziran na grafenu koji donosi veće brzine i mogućnosti u oblasti računara.

2. Kako su istraživači dobili SEC?
Istraživači su dobili SEC zagrevanjem silicijum-karbida na visokim temperaturama. Zagrevanjem, silicijum isparava sa površine, a na njoj se formira grafen. Ova metoda omogućava konzistentne rezultate i visoku mobilnost elektrona.

3. Kakva je prednost grafena u odnosu na tradicionalne materijale?
Grafen deluje kao poluprovodnik sa znatno većom mobilnošću elektrona u odnosu na tradicionalne materijale poput silicijuma. Tranzistori bazirani na grafenu mogli bi raditi na neverovatno visokim brzinama u rangu teraherca.

4. Kakav je potencijal grafena za kvantno računarstvo?
Grafen ima potencijal za kvantno računarstvo. Kada se koristi na niskim temperaturama, elektroni u grafenu pokazuju kvantno-mehanička svojstva koja nisu dostupna u silicijumu. To otvara mogućnosti za potpuno novu elektroniku.

5. Koje su dalje korake istraživači planirali?
Istraživači planiraju nastaviti eksperimentisanje sa novim materijalima poput bor nitrida kako bi zaštitili grafen i povećali njegovu kompatibilnost sa konvencionalnim proizvodnim linijama za poluprovodnike.

6. Koliko vremena će biti potrebno za razvoj ove tehnologije?
Razvoj ove tehnologije će zahtevati vreme, ali podrška industrije će biti od velikog značaja za bržu implementaciju. Količina rada koja će biti uložena u razvoj SEC-a će biti ključna za ostvarivanje svih mogućnosti koje grafenski čipovi donose u elektroniku.

Srodni linkovi:
Georgia Tech univerzitet